三维3D封装手艺先容
三维封装手艺使用了 SiC 功率器件笔直型的结构特点，将开关桥臂的下管直接叠在上管之上，消除了桥臂中点的多余布线，可将回路寄生电感降至1nH 以下。Vagnon于 2008 年即提出了使用金属片直连的？榈ノ，如图10(a)所示，并基于此封装制作了 Buck 变换器？。
实验测试批注，该 3D 封装？榛鞠斯苍醇绺，并且辐射电磁场相比于古板？榇蟠蠹跣，共模电流也获得了很好的抑制。类似的，文献将 SiCMOSFET芯片嵌入 PCB 内部，形成如图 10(b)所示的 3D 封装形式。芯片外貌首先经由镀铜处置惩罚，再借由过孔沉铜工艺将芯片电极引出，最后使用PCB 层压完成多层结构，图 10(c)为实物？。得益于PCB 的母排结构，？榛芈返绺薪鲇 0.25nH，并可同时实现门极的开尔文毗连方法。
该封装的功率密度极高，怎样包管芯片温度控制是一浩劫点，外层铜厚和外貌热对流系数对芯片散热影响很大。除功率芯片之外，无源元件如磁芯，电容等均可通过适当的方法嵌入 PCB 当中以提高功率密度。
由上述新型结构可以看出，为充分验展 SiC 器件的优势，提高功率密度，消除金属键合线毗连是一种趋势。通过接纳种种新型结构，降低？榛芈芳纳绺兄，减小体积是推进电力电子走向高频、高效、高功率密度的包管。
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