AlGaN(氮化铝镓)—来看看令人瞩目的下一代功率电子质料(与功率电子洗濯)
AlGaN—来看看令人瞩目的下一代功率电子质料!
铝镓氮(AlGaN),也称为氮化铝镓,是由铝、镓、氮组成的三元化合物,属于氮化物半导体,是一种主要的宽带隙半导体质料,别的还具有电子亲和势极低、化学稳固性优等特点。
SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)作为功率电子器件晶体管的半导体质料的研发已经取得希望,并且已经最先适用化。通常由轻元素组成的半导体的介电击穿电阻较高,可是若是将GaN中的一部分Ga替换为较轻的Al并制成AlGaN(氮化铝镓),则将获得具有优异的介电击穿电阻的晶体。因此,具有更高介电击穿电阻的AlGaN作为下一代功率电子质料被寄予厚望。

一、AlGaN质料性子
化学性子方面,AlGaN质料继续了AlN和GaN优异的化学稳固性。在室温下,不与水、强碱和强酸反应;在高温下,与碱缓慢反应。优异的化学稳固性决议了AlGaN基器件适用于多种极端情形。
物理性子方面,AlGaN质料具有极高的熔点,导热系数高。同时,该质料的质地坚硬,很是适用于制备高温高压等情形中事情的器件。别的,AlN、GaN和AlGaN在晶格常数以及导带价带位置上有差别,因此在形成异质结时,会爆发自觉的极化,并且体现出一定的压电特征,可以用来制备压电器件。再者,AlGaN质料还具有较大介电常数,因此也能用来制备高频高功率器件。
电学性子方面,电场强度在一定水平上关于AlGaN的电子迁徙率影响较小,该特征使得AlGaN质料可以用来制备微波器件。由于质料真空电离能较高,且化学惰性很强,因此难以实现欧姆接触,尤其是p型欧姆接触。现在,主要通过在AlGaN外貌特殊生长一层p型GaN来实现p型欧姆接触。
光学性子方面,AlGaN是直接带隙半导体,具有很高的发光效率。在带隙宽度方面,通过调解Al:Ga比例可以实现带隙在3.39-6.024eV间可调,极大地笼罩了紫外光区,并且包括了整个日盲区,现在GaN/AlGaN异质结构是日盲探测器的首选。别的,AlN的电子亲和能只有0.6eV,在某些条件下甚至能为负值,这意味着Al组分较高的AlGaN质料可以制备高效率的发光器件。现在,光学性子方面的优势是AlGaN质料吸引重大研究热情的主要缘故原由。
二、AlGaN质料制备
金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)在已往的20年里已经生长成为Ⅲ-Ⅴ族氮化物外延生长的主要手艺。
1967年,Manasevit等研究者发明,金属有机化合物三甲基镓(CH3)3Ga和氢化物的气相混淆物,在H2气氛中在600-700℃温度下热解,可以用来生长GaN质料,自此MOCVD进入了研究职员的视野。
在80年月之后,这项手艺有了更快的生长,接纳MOCVD手艺可以在大衬底基片上沉积获得匀称的外延层,尤其在Ⅲ族氮化物生长领域。经由一段时间的一连生长,九十年月后,MOCVD已经成为了GaN、AlGaN等半导体质料及其相关器件的主要生长要领。
使用MOCVD装备生长AlGaN质料,其基来源理是将Ⅲ族元素金属有机化合物源和Ⅴ族化合物的氮源,通过载气进入反应室,并在反应室内部充分混淆,在反应室的反应分为多个办法来完成:
首先是Ⅲ族源气和氮源的裂解反应,TMGa和NH3通过反应天生反应前驱体和副产品;裂解反应的产品会沉积在底部衬底的外貌,同时TMGa和NH3也会在进入反应室后,向衬底上逐步扩散;沉积在衬底上的前驱体在外貌爆发迁徙和扩散,与抵达衬底的NH3爆发反应,在高温反应下爆发最终产品和副产品;随后最终未反应的源分子,反应副产品等会在载气的携带下,脱离反应室,进入装备后续的尾气处置惩罚流程。
三、功率电子洗濯
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