IGBT的基础知识先容
IGBT的基础知识先容
一、IGBT是什么 ？
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大 ；（由于Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN结质料和厚度有关））MOSFET驱动功率很小，开关速率快，但导通压降大，载流密度小。（由于MOS管有Rds，若是Ids较量大，就会导致Vds很大）
IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。很是适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT最主要的作用就是把高压直流变为交流，以及变频（以是用在电动车上较量多）。
二、IGBT的事情原理
忽略重大的半导体物理推导历程，下面是简化后的事情原理。
IGBT有N沟道型和P沟道型两种，主流的N沟道IGBT的电路图符号及其等效电路如下：
以是整个历程就很简朴：
当栅极G为高电平时，NMOS导通，以是PNP的CE也导通，电流从CE流过。
当栅极G为低电平时，NMOS阻止，以是PNP的CE阻止，没有电流流过。
IGBT与MOSFET差别，内部没有寄生的反向二极管，因此在现实使用中(感性负载)需要搭配适当的快恢复二极管。
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