SiC作为第三代半导体质料具有优越的性能，相比于前两代半导体质料，碳化硅具有禁带宽度大、击穿电场强度高、热导率高、电子饱和速率高以及抗辐射能力强等特点，已成为现在应用最广、市占率最高的第三代半导体质料。碳化硅器件相较于硅基器件，具有优越的电气性能，如耐高压、耐高温顺低消耗。随着新能源汽车渗透率一直提升，叠加800V高压平台的逐步实现，SiC器件市场将高速增添。

凭证Yole数据，2021-2027年，全球SiC功率器件市场规模将由10.9亿美元增添到62.97亿美元，CAGR为34%；其中新能源车用SiC市场规模将由6.85亿美元增添到49.86亿美元，CAGR为39.2%，新能源车（逆变器+OBC+DC/DC转换器）是SiC最大的下游应用，占比由62.8%增添到79.2%，市场份额一连提升。

碳化硅功率器件封装手艺的挑战

碳化硅器件的这些优良特征，需要通过封装与电路系统实现功率和信号的高效、高可靠毗连，才华获得完善展现，怎样充分验展碳化硅器件的这些优势性能则给封装手艺带来了新的挑战：

1.降低杂散电感

古板封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特征。碳化硅器件的结电容更小，栅极电荷低，因此，开关速率极快，开关历程中的 dv/dt 和 di/dt 均极高。虽然器件开关消耗显著降低，但古板封装中杂散电感参数较大，在极高的 di/dt 下会爆发更大的电压过冲以及振荡，引起器件电压应力、消耗的增添以及电磁滋扰问题。在相同杂散电容情形下，更高的 dv/dt 也会增添共模电流。

2.器件高温事情时，封装可靠性降低

除开关速率更快外，碳化硅器件的事情温度可抵达 300℃ 以上。而现有适用于硅器件的古板封装质料及结构一样平常事情在 150℃ 以下，在更高温度时可靠性急剧下降，甚至无法正常运行。解决这一问题的要害在于找出相宜高温事情的毗连质料，匹配封装中差别质料的热性能。

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多功效集成封装手艺以及先进的散热手艺在提升功率密度等方面起着要害作用。

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汽车IGBT？椤⒐β势骷和半导体封装前通；崾褂弥讣梁臀嗟茸魑附痈，这些辅料在焊接历程或多或少都会有部分残留物，还包括制程中沾污的指印、汗液、角质和灰尘等污染物。同时，汽车IGBT？椤⒐β势骷和半导体的引线框架组装了铝、铜、铂、镍等敏感金属等相当懦弱的功效质料。这些敏感金属和特殊功效质料对洗濯剂的兼容性提出了很高的要求。一样平常情形下，质料兼容性欠好的洗濯剂容易使敏感质料氧化变色或溶胀变形或脱落等爆发不良征象。尊龙凯时科技自主研发的汽车IGBT？椤⒐β势骷和半导体水基洗濯剂则是针对引线框架、汽车IGBT？椤⒐β拾氲继迤骷焊后洗濯开发的质料兼容性好、洗濯效率高的环保水基洗濯剂。将汽车IGBT？楹锡膏洗濯清洁的情形下阻止敏感质料的损伤。