2.5D封装和3D封装

Interposer通常译为转接板、插入层或中介层，转接板通常对应着无源Interposer，插入层与中介层通常对应着有源Interposer。无源Interposer仅具备硅通孔TSV（Through Si Via）与再布线层RDL（Redistribution Layer），如下图所示。

裸芯通过微凸点组装到Interposer上，如上图所示。其Interposer上堆叠了三颗裸芯。Interposer包括两种类型的互联：①由微凸点和Interposer顶部的RDL组成的水平互连，它毗连种种裸芯②由微凸点、TSV簇和C4凸点组成的笔直互联，它将裸芯毗连至封装。

有源与无源的最大差别在于是否基于硅基的Interposer实现了有源区，并以此来实现一定的系统功效。如下图所示，在这个130nm的有源笔直硅基插入层ATSI（Active Through Si Interposer）上实现了ADC、DAC、PMU 等多种功效。

1、2.5D封装

物理结构：所有芯片和无源器件均XY平面上方，至少有部分芯片和无源器件装置在中介层上，在XY平面的上方有中介层的布线和过孔，在XY平面的下方有基板的布线和过孔。

电气毗连：中介层可提供位于中介层上的芯片的电气毗连。

2.5D集成的要害在于中介层Interposer，一样平常会有几种情形:1、中介层是否接纳硅转接板，2、中介层是否接纳TSV。在硅转接板上，我们将穿越中介层的过孔称之为TSV，关于玻璃转接板，我们称之为TGV。

硅中介层有TSV的集成是最常见的一种2。5D集成手艺，芯片通常通过Micro Bump和中介层相毗连，作为中介层的硅基板接纳Bump和基板相连，硅基板外貌通过RDL布线，TSV作为硅基板上下外貌电气毗连的通道，这种2.5D集成适合芯片规模较量大，引脚密度高的情形，芯片一样平常以Flip Chip形式装置在硅基板上，如下图所示。

硅中介层无TSV的2。5D集成的结构一样平常如下图所示，有一颗面积较大的裸芯片直接装置在基板上，该芯片和基板的毗连可以接纳Bond Wire或者Flip Chip两种方法，大芯片上方由于面积较大，可以装置多个较小的裸芯片，但小芯片无法直接毗连到基板，以是需要插入一块中介层，在中介层上方装置多个裸芯片，中介层上有RDL布线，可将芯片的信号引出到中介层的边沿，然后通过Bond Wire毗连到基板。这类中介层通常不需要TSV，只需要通过Interposer上外貌的布线举行电气互连，Interposer接纳Bond Wire和封装基板毗连。

2、3D封装

3D集成和2.5D集成的主要区别在于：2.5D封装是在中介层Interposer上举行布线和打孔，而3D封装是直接在芯片上打孔和布线，毗连上下层芯片。

物理结构：所有芯片和无源器件均位于XY平面上方，芯片堆叠在一起，在XY平面的上方有穿过芯片的TSV，在XY平面的下方有基板的布线和过孔。

电气毗连：通过TSV和RDL将芯片直接电气毗连。

3D封装大大都应用在同类芯片堆叠中，多个相同的芯片笔直堆叠在一起，通过穿过芯片堆叠的TSV互连，如下图所示。同类芯片集成大多应用在存储器集成中，例如DRAM Stack，FLASH Stack等。

差别类芯片的3D集成中，一样平常是将两种差别的芯片笔直堆叠，并通过TSV电气毗连在一起，并和下方的基板互连，有时间需要在芯片外貌制作RDL来毗连上下层的TSV，如下图所示。

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