芯片制造流程之芯片封装工艺
芯片制造流程之芯片封装工艺
芯片封装工艺 ，随着半导体工业的生长 ，现在越来越多的新型封装手艺展现 ，好比立体封装、覆晶式封装（Flip-Chip BGA）、堆叠式封装（Stack Multi-chip package）、芯片级堆叠式封装（TSV package）、DOB（Die on Board）等 ，它们的工艺与上述不尽相同 ，可是原理上没有差别。
今天小编给各人分享一篇关于芯片封装制造工艺的几个办法 ，希望能对您有所资助！
古板的芯片封装制造工艺分为以下几个办法：
一、减。˙ack Grind）
差别的芯片使用时需要具有差别的厚度 ，因此需要对芯片举行减薄。一样平常是应用研磨的要领。研磨的第一步为粗磨。第二步为细磨 ，目的是消减芯片粗磨中天生的应力破损层 ，这一层一样平常厚度为1-2微米。
二、贴膜（Wafer Mount）
减薄之后 ，需要在芯片背面贴上配合划片使用的蓝膜 ，才可以最先划片。
三、划片（Wafer Saw）
将芯片在蓝膜上切割成颗粒状 ，以便于单个取出脱离。一样平常切割刀片可以抵达最小的切割宽度为40微米左右。
四、贴片（Die Attach）
将芯片颗粒由划片后的蓝膜上划分取下 ，用特殊的胶水（一样平常为导电银胶）与引线框架（leadframe ，支架）贴合在一起 ，以便于下一个打线键合的工艺。
五、银胶烘焙（Epoxy Curing）
贴片工艺后需要使用高温将银胶烤干固化 ，温度为175℃ ，时间为1小时。
六、打线键合（Wire Bond）
用金属引线将芯片颗粒的金属焊接垫与支架焊接联通在一起。
七、塑封成型（Mold）
将引线键合完成的支架放入塑封模中 ，用塑封料（高分子 ，一样平常为环氧树脂等）把芯片、金属引线及支架包裹 ；て鹄 ，同时抵达塑封料外观成型的目的。
八、塑封后烘焙（Post Mold Curing）
塑封料的转换固化在模具中完成80% ，然后到塑封后烘焙工艺中完成剩余的20%固化事情。此时在芯片塑封制品上要加上金属重槌 ，目的是消除塑封制品的跷曲征象。
九、除渣及电镀（Deflash and Plating）
将塑封成型后的残渣去除后 ，将引线支架电镀上一层锡（一样平常为含锡的合金） ，未来可使用外貌贴芯片手艺制作电路系统。
十、电镀后烘焙（Post Plating Baking）
这一步的目的是镌汰及延缓锡枝晶的爆发 ，由于锡枝晶会造成芯片封装后制品的引脚短路。
十一、切筋整脚成型（Trim/Form）
塑封完成后 ，要对整个支架做切筋及整脚成型的行动 ，使单个IC从整条支架上一个一个完整的疏散出来。
以上是关于芯片制造之芯片封装工艺的相关内容了 ，希望能对您有所资助！
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