随着新兴战略工业的生长对第3代宽禁带功率半导体碳化硅质料和芯片的应用需求，海内外？榉庾笆忠找不竦醚杆偕，追求低杂散参数、小尺寸的封装手艺成为封装的亲近关注点，海内外科研团队和半导体工业设计了却构各异的高性能功率？，提升了SiC基控制器的性能
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（1） 古板封装：Wolfspeed、Rohm和Semikron等制造商大多延用古板Si基封装方法，功率品级较低，含有金属键合线，杂散电感较大
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（2） DBC+PCB混淆封装：Cha等［16］和Seal等［17］把DBC和PCB板举行整合，通过键合线毗连芯片和PCB板，研创出DBC+PCB混淆封装
。实现了直接在PCB层间控制换流回路，缩减换流路径来减小寄生电感
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（3） SKiN封装：德国Semikron公司接纳纳米银烧结和SKiN布线手艺，接纳柔性 PCB板取代键合线实现芯片的上下外貌电气毗连，？槟诓炕芈芳纳绺薪鑫1.5 nH［18］
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（4） 平面互连封装：通过消除金属键合线，将电流回路从DBC板平面结构拓展到芯片上下平面的层间结构，显著减小了回路面积，降低了杂散电感参数，如Silicon Power公司接纳端子直连（DLB）［19］、IR的Cu-Clip IGBT［20］和Siemens的SiPLIT手艺［21］等
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（5） 双面焊接（烧结）封装：在功率芯片两侧焊接DBC散热基板，为芯片上下外貌提供散热通道

；或者使用银烧结手艺将芯片一面焊接DBC，另一面毗连铝片
。双面散热既能优化基板边沿场强，还能够降低电磁滋扰（EMI），减小桥臂中点的对地寄生电容，使其具有消耗低、热性能好、制造本钱低等优点
。橡树岭实验室、中车时代电气、天津大学和CPES等可以将寄生电感降低至5 nH
。同时，铜烧结作为一种更低本钱的芯片毗连计划更被视为是未来几年的研究热门
。现在双面散热手艺主要应用在新能源电动车内部？椋22-23］
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（6） 压接封装：压接型器件各层组件界面间依赖压力接触实现电热传导，分为凸台式和弹簧式两类
。与焊接型器件相比，压接封装结构？榫哂懈吖β拭芏取⑺嫔⑷取⒌屯ㄌ摹⒖构セ髂芰η俊⒛褪Ф搪泛鸵子诖扔诺悖24］，并且接纳数目较少的压接型？楸憧芍慊涣魇钡缪蛊芳逗腿萘啃枨螅25］，但由于密封等要求多接纳LTCC陶瓷设计，本钱较高，且压接封装结构重大，现在只用于高压？榈闹圃，具有一定的应用市场
。但离汽车领域的现实应用尚有一定的差别
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（7） 三维（3D）封装：Tokuyama等［26］和Herbsommer等［27］将SiC？榈纳锨疟壑苯拥加在下桥臂上，由于SiC？榈慕峁故潜手毙偷，可以大幅缩短换流回路的物理长度，以进一步镌汰与di/dt相关的问题
。现在该封装手艺最大的优势是可以将？榧纳绺薪抵1 nH以下


Ｉ杏薪缪共ǘ畲蟮亩俗影才旁谌行慕峁沟闹行，使端子与散热器之间的寄生电容急剧降低［28］，进而抑制了电磁滋扰噪声［29］
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功率？榈牡浞斗庾敖峁蛊拭嫱既缤1所示
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IGBT功率？橄村

为应对能源

；蜕樾味窕任侍，天下各国均在鼎力大举生长新能源汽车、高压直流输电等新兴应用，增进了大功率电力电子变流装置的普遍应用
。大功率变流装置的可靠性对这些应用而言十分主要
。装置的可靠性与其焦点器件IGBT亲近相关
。

现在，大宗的IGBT仍在接纳古板的正溴丙烷等溶剂洗濯洗濯，随着对环保的管控和对产品可靠性的要求一直提高，原有的古板溶剂洗濯已不可知足IGBT洗濯
。对此，尊龙凯时提出新型的IGBT洗濯计划
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尊龙凯时科技半水基洗濯工艺解决计划，接纳尊龙凯时科技专利配方，可在洗濯IGBT凹槽内保存大宗的锡膏残留的同时去除金属界面高温氧化膜，更含有

；ば酒嬉斓闹柿

；配方质料亲水性强，洗濯后易于用水漂洗清洁
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接待使用尊龙凯时科技半水基洗濯剂洗濯IGBT功率器件
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以上即是IGBT功率器件洗濯剂厂,IGBT功率器件的DCB衬底功效先容，希望可以帮到您！