IGBT的静态特征曲线

今天小编带你一起相识一下IGBT的主要参数及IGBT的优弱点，希望能对你有所资助！

IGBT静态特征曲线包括转移特征曲线和输出特征曲线：其中左侧用于体现IC-VGE关系的曲线叫做转移特征曲线，右侧体现IC-VCE关系的曲线叫做输出特征曲线。下面小编划分详细先容一下转移特征曲线跟输出特征曲线：

1、转移特征曲线

IGBT的转移特征曲线是指输出集电极电流IC与栅极-发射极电压VGE之间的关系曲线。

为了便于明确，这里我们可通太过析MOSFET来明确IGBT的转移特征。

当VGS=0V时，源极S和漏极D之间相当于保存两个背靠背的pn结，因此岂论漏极-源极电压VDS之间加多大或什么极性的电压，总有一个pn结处于反偏状态，漏、源极间没有导电沟道，器件无法导通，漏极电流ID为N+PN+管的泄电流，靠近于0。

当0<vgs<vgs（th）时< span="">，栅极电压增添，栅极G和衬底p间的绝缘层中爆发电场，使得少量电子群集在栅氧下外貌，但由于数目有限，沟道电阻仍然很大，无法形成有用沟道，漏极电流ID仍然约为0。

当VGS≥VGS（th）时，栅极G和衬底p间电场增强，可吸引更多的电子，使得衬底P区反型，沟道形成，漏极和源极之间电阻大大降低。此时，若是漏源之间施加一偏置电压，MOSFET会进入导通状态。在大部分漏极电流规模内ID与VGS成线性关系，如下图所示。

这里MOSFET的栅源电压VGS类似于IGBT的栅射电压VGE，漏极电流ID类似于IGBT的集电极电流IC。IGBT中，当VGE≥VGE（th）时，IGBT外貌形成沟道，器件导通。

2、输出特征曲线

IGBT的输出特征通常体现的是以栅极-发射极电压VGE为参变量时，漏极电流IC和集电极-发射极电压VCE之间的关系曲线。

由于IGBT可等效明确为MOSFET和PNP的复合结构，它的输出特征曲线与MOSFET强相关，因此这里我们依旧以MOSFET为例来解说其输出特征。

其中当VDS>0且较小时，ID随着VDS的增大而增大，这部分区域在MOSFET中称为可变电阻区，在IGBT中称为非饱和区；

当VDS继续增大，ID-VDS的斜率逐渐减小为0时，该部分区域在MOSFET中称为恒流区，在IGBT中称为饱和区；

当VDS增添到雪崩击穿时，该区域在MOSFET和IGBT中都称为击穿区。

IGBT的栅极-发射极电压VGE类似于MOSFET的栅极-源极电压VGS，集电极电流IC类似于漏极电流ID，集电极-发射极电压VCE类似于漏源电压VDS。

MOSFET与IGBT在线性区之间保存差别（红框所标位置）。

这主要是由于IGBT在导通初期，发射极P+/N-结需要约为0.7V的电压降使得该结从零偏转变为正偏所导致的。

以上是关于IGBT的静态特征曲线的相关内容，希望能您你有所资助！

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