IGBT的主要参数及IGBT的优弱点
IGBT的主要参数及IGBT的优弱点
今天小编带你一起相识一下IGBT的主要参数及IGBT的优弱点 ，希望能对你有所资助！
一、IGBT的主要参数
1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在阻止状态下集电极与发射极之间能够遭受的最大电压 ，一样平常UCES小于或即是器件的雪崩击穿电压。
2、栅极-发射极额定电压UGE是IGBT栅极与发射极之间允许施加的最大电压 ，通常为20V。栅极的电压信号控制IGBT的导通和关断 ，其电压不可凌驾UGE。
3、集电极额定电流IC是IGBT在饱和导通状态下 ，允许一连通过的最大电流。
4、集电极-发射极饱和电压UCE是IGBT在饱和导通状态下 ，集电极与发射极之间的电压降。该值越小 ，则管子的功率消耗越小。
5、开关频率在IGBT的使用说明书中 ，开关频率是以开通时间tON、下降时间t1和关断时间tOFF给出的 ，凭证这些参数可估算出IGBT的开关频率 ，一样平常可达30～40kHz。在变频器中 ，现实使用的载波频率大多在15kHz以下。
二、IGBT的优弱点
优点：
1、具有更高的电压和电流处置惩罚能力。
2、极高的输入阻抗。
3、可以使用很是低的电压切换很是高的电流。4、电压控制装置 ，即它没有输入电流和低输入消耗。
5、栅极驱动电路简朴且自制 ，降低了栅极驱动的要求
6、通过施加正电压可以很容易地翻开它 ，通过施加零电压或稍微负电压可以很容易地关闭它。
7、具有很是低的导通电阻。
8、具有高电流密度 ，使其能够具有更小的芯片尺寸。
9、具有比 BJT 和 MOS 管更高的功率增益。
10、具有比 BJT 更高的开关速率。
11、可以使用低控制电压切换高电流电平。
12、双极性子 ，增强了传导性。
13、清静可靠。
弱点：
1、开关速率低于 MOS管。
2、由于是单向的 ，在没有附加电路的情形下无法处置惩罚AC波形。
3、不可阻挡更高的反向电压。
4、比 BJT 和 MOS管价钱更高。
5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构 ，因此它保存锁存问题
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