半导体制造流程（三） - 光刻

半导体（semiconductor）指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的质料
。半导体应用领域很是普遍
。从科技或是经济生长的角度来看，半导体的主要性都是很是重大的
。大部分的电子产品都和半导体有着极为亲近的关联
。常见的半导体质料有硅、锗、砷化镓等，硅是种种半导体质料应用中最具有影响力的一种
。

每个半导体产品的制造都需要数百个工艺，整个制造历程分为八个办法：晶圆加工 - 氧化 - 光刻 -刻蚀 - 薄膜沉积 - 互连 - 测试 - 封装
。今天小编给各人先容的是半导体制造的第三个办法：光刻，希望能对各人有所资助！

半导体制造第三步：光刻

光刻是通过光线 将 电 路 图 案“ 印刷”到晶圆上，我们可以将其明确为在晶圆外貌绘制半导体制造所需的平面图
。电路图案的细腻度越高，制品芯片的集成度就越高，必需通过先进的光刻手艺才华实现
。详细来说，光刻可分为涂覆光刻胶、曝光和显影三个办法
。

光刻的三个办法：

1、涂覆

光刻胶在晶圆上绘制电路的第一步是在氧化层上涂覆光刻胶
。光刻胶通过改转变学性子的方法让晶圆成为“相纸”
。晶圆外貌的光刻胶层越薄，涂覆越匀称，可以印刷的图形就越细腻
。这个办法可以接纳“旋涂”要领
。凭证光（紫外线）反应性的区别，光刻胶可分为两种：正胶和负胶，前者在受光后会剖析并消逝，从而留下未受光区域的图形，此后者在受光后会聚合并让受光部分的图形展现出来
。

2、曝光

在晶圆上笼罩光刻胶薄膜后，就可以通过控制光线照射来完成电路印刷，这个历程被称为“曝光”
。我们可以通过曝光装备来选择性地通过光线，当光线穿过包括电路图案的掩膜时，就能将电路印制到下方涂有光刻胶薄膜的晶圆上
。

在曝光历程中，印刷图案越细腻，最终的芯片就能够容纳更多元件，这有助于提高生产效率并降低单个元件的本钱
。在这个领域，现在备受瞩目的新手艺是 EUV 光刻
。泛林集团与战略相助同伴 ASML 和 imec 配合研发出了一种全新的干膜光刻胶手艺
。该手艺能通过提高区分率（微调电路宽度的要害要素）大幅提升 EUV 光刻曝光工艺的生产率和良率
。

3、显影

曝光之后的办法是在晶圆上喷涂显影剂，目的是去除图形未笼罩区域的光刻胶，从而让印刷好的电路图案展现出来
。显影完成后需要通过种种丈量装备和光学显微镜举行检查，确保电路图绘制的质量
。

以上是关于半导体制造流程（三） - 光刻的相关内容，希望能您你有所资助！

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