半导体制造流程（四） - 刻蚀
半导体制造流程（四） - 刻蚀
半导体（semiconductor）指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的质料。半导体应用领域很是普遍。从科技或是经济生长的角度来看，半导体的主要性都是很是重大的。大部分的电子产品都和半导体有着极为亲近的关联。常见的半导体质料有硅、锗、砷化镓等，硅是种种半导体质料应用中最具有影响力的一种。
每个半导体产品的制造都需要数百个工艺，整个制造历程分为八个办法：晶圆加工 - 氧化 - 光刻 -刻蚀 - 薄膜沉积 - 互连 - 测试 - 封装。今天小编给各人先容的是半导体制造的第四个办法：刻蚀，希望能对各人有所资助！
半导体制造第四步：刻蚀
在晶圆上完成电路图的光刻后， 就要用刻蚀工艺往复除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。要做到这一点需要使用液体、气体或等离子体往复除选定的多余部分？淌吹囊熘饕治街，取决于所使用的物质：使用特定的化学溶液举行化学反应往复除氧化膜的湿法刻蚀，以及使用气体或等离子体的干法刻蚀。
湿法刻蚀
使用化学溶液去除氧化膜的湿法刻蚀具有本钱低、刻蚀速率快和生产率高的优势。然而，湿法刻蚀具有各向同性的特点，即其速率在任何偏向上都是相同的。这会导致掩膜（或敏感膜）与刻蚀后的氧化膜不可完全对齐，因此很难处置惩罚很是细腻的电路图。
干法刻蚀
干法刻蚀可分为三种差别类型。第一种为化学刻蚀，其使用的是刻蚀气体（主要是氟化氢）。和湿法刻蚀一样，这种要领也是各向同性的，这意味着它也不适适用于细腻的刻蚀。
第二种要领是物理溅射，即用等离子体中的离子来撞击并去除多余的氧化层。作为一种各向异性的刻蚀要领，溅射刻蚀在水平和笔直偏向的刻蚀速率是差别的，因此它的细腻度也要凌驾化学刻蚀。但这种要领的弱点是刻蚀速率较慢，由于它完全依赖于离子碰撞引起的物理反应。
最后的第三种要领就是反应离子刻 蚀 (RIE)。RIE连系了前两种要领，即在使用等离子体举行电离物理刻蚀的同时，借助等离子体活化后爆发的自由基举行化学刻蚀。除了刻蚀速率凌驾前两种要领以外，RIE 可以使用离子各向异性的特征，实现高细腻度图案的刻蚀。
现在干法刻蚀已经被普遍使用，以提高细腻半导体电路的良率。坚持全晶圆刻蚀的匀称性并提高刻蚀速率至关主要，当今最先进的干法刻蚀装备正在以更高的性能，支持最为先进的逻辑和存储芯片的生产。
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