碳化硅功率器件的基来源理与特点

基于碳化硅质料的半导体器件原理

碳化硅功率器件基于碳化硅（SiC）这种化合物半导体质料。在MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）结构中，碳化硅质料保存N型和P型两种类型，通过掺杂手段可获得差别电导率类型。例如，其栅极由金属制成，源极和漏极接纳N型或P型碳化硅质料。当在栅极施加正电压时，MOSFET内部形成电子气体，使得源极和漏极间形成导通通道；施加负电压时，电子气体消逝，通道断开，MOSFET进入阻止状态。

碳化硅功率器件的特点

1. 高事情温度与热稳固性

碳化硅功率器件具备精彩的热稳固性，能够遭受高温事情情形，事情温度可达300℃以上，例如在新能源汽车领域，可于高温情形下稳固事情，确保汽车的稳固性与可靠性。相比古板硅基质料，碳化硅的这一特征使其在175°C结温时不需要散热，并且能遭受600°C以上的高温情形，而硅基质料在120°C场景便需要散热，这种高温特征知足了高功率密度与高效率应用需求。

2. 高化学稳固性

碳化硅具有高的化学稳固性，能够对抗侵蚀和氧化，从而提高了器件的可靠性和使用寿命。这使其能顺应多样的情形条件，镌汰了因化学因素导致的性能衰减和故障的可能性。

3. 低消耗提高效率

器件的导通消耗和开关消耗较低，其能耗效率比古板硅功率器件高，可抵达90%以上，有助于提高电力转换效率，降低电能消耗，进而延伸电池续航里程和提升装备的总体性能。例如在电动汽车方面，可提高汽车性能并优化续航里程；在工业装备的电力转换环节中，能够提升转换效率，镌汰能源铺张。

4. 高频特征

碳化硅功率器件在高频率下能量消耗镌汰，转换率高，开关速率比古板硅功率器件快可达100倍以上。这一特征关于高频事情情形下的应用，如通讯、高速电机控制等领域至关主要，能有用地镌汰能量损失、提高装备运行效率和响应速率。

5. 高击穿场强和电子迁徙率

具有高的击穿场强和高的电子迁徙率，可以提供更高的电流密度和功率密度。这使其能承载较高的电压和电流，在高压、大功率应用场景下具有显著优势，例如用于制造高压大容量的电力电子器件。

6. 物理尺寸更小

碳化硅功率器件由于其特殊的质料特征，同性能的器件体积比硅基器件小，可以抵达硅基器件的1/3左右，在一些对尺寸和重量有要求的应用场景，如新能源汽车、航空航天等领域，可以更好地知足节约空间和减轻重量的需求，提高能源密度。别的，在制作模组时，尺寸还能大幅缩小。

碳化硅功率器件的刻蚀工艺类型

干法刻蚀在碳化硅刻蚀中的须要性

由于碳化硅质料的特殊性子，如机械硬度高、化学稳固性好，使得古板在硅器件制造中常用的湿法刻蚀（使用酸碱溶液举行侵蚀）在碳化硅器件制造中难以适用。碳化硅质料在化学溶剂中泛起惰性，好比仅能在高温情形下举行侵蚀，例如在温度为500℃的熔融的碱中，或者在1000℃高温下氯气或含氯的气体中，或者在高于1800℃的升华温度下使用Si蒸汽对SiC举行抛光侵蚀，以及在900 - 1000℃温度下在熔融的盐中举行湿法刻蚀。然而，碳化硅器件图形制备对刻蚀的质量要求严酷，包括较低的侵蚀温度、优异的被侵蚀后的外貌质量、相关于掩膜质料具有较高的选择性侵蚀以及高的刻蚀区分率和侵蚀的各向异性等。因此，必需接纳干法刻蚀手艺来实现有用的碳化硅质料刻蚀去除。

主要的干法刻蚀工艺

1. 等离子体刻蚀（PE）

这是一种较早被研究用于碳化硅刻蚀的干法刻蚀工艺。研究职员使用CF4+O2气体系统，使用射频辉光放电系统，能够对非掺杂、掺硼或掺磷的氢化非晶碳化硅（a - SiC:H）薄膜举行刻蚀去除。在该工艺历程中，等离子体中的活性粒子与碳化硅外貌爆发化学反应，从而实现对碳化硅质料的刻蚀。例如在制作碳化硅钝化膜相关结构时，该工艺可用于对氢化非晶碳化硅薄膜的刻蚀，从而抵达制备需求的特定图形结构。可是，这种工艺用于制造SiC高温器件的单晶3C - SiC薄膜时，由于单晶和非晶薄膜物理化学性子的差别，效果可能需要进一步刷新和优化。

2. 反应离子刻蚀（RIE）

反应离子刻蚀在碳化硅刻蚀中也有应用。H.F.Winters等报道了在一些特定情形下使用RIE工艺举行碳化硅薄膜刻蚀的研究。例如他们发明若是接纳辉光放电溅射工艺制备的SiC薄膜，当接纳XeF2蒸汽作为刻蚀气体，在纯粹的PE或RIE工艺时不可对所制备的SiC薄膜举行刻蚀，但在XeF2气体与电子发射和离子发射同时保存的条件下，即保存离子轰击的情形下，可以对SiC质料举行刻蚀去除。这是由于离子和电子的发射能够增强刻蚀气体与被刻蚀外貌的化学反应，从而导致了SiC质料的各向异性刻蚀。并且在刻蚀反应中限制刻蚀速率巨细的因素似乎是由SiF4分子形成的快慢所决议的。

3. 反应离子束刻蚀（RIBE）

ShinjiMatsui等人接纳反应离子束刻蚀手艺对碳化硅单晶3C - SiC质料举行刻蚀研究。这种工艺通过爆发特定能量和离子束的形式，准确地控制碳化硅外貌的刻蚀历程，在碳化硅的一些高精度结构加工方面具有潜在的应用价值，例如对碳化硅器件中的微纳结构举行刻蚀，这种要领有利于实现较高的刻蚀区分率和较好的侧壁控制。

碳化硅功率器件刻蚀工艺的手艺难点

1. 硬脆性导致加工易损伤

碳化硅质料具有高硬度、高脆性和低断裂韧性的特点。在刻蚀工艺历程中，特殊是研磨加工（下游加工中的减薄等工艺可能涉及）时，容易引发质料的脆性断裂情形，对晶圆外貌与亚外貌造成损伤。例如在要将碳化硅晶圆减薄到目的厚度时，这种硬脆性可能导致晶圆外貌爆发微裂纹或者内部结构受到不可恢复的破损，从而影响器件的性能和制品率。这种损伤会导致平面度不佳、外貌粗糙度增添等问题，关于极细密的功率器件制造而言是很是严重的，由于细小的结构损伤都可能改变器件的电学特征，降低器件在高电压、大电流等应用场景下的可靠性。

2. 刻蚀质量要求苛刻

虽然干法刻蚀手艺适用于碳化硅，但要抵达碳化硅器件图形制备的要求难度较大？淌粗柿恳蟀ń系偷那质次露取⒂乓斓谋磺质春蟮耐饷仓柿浚ㄈ缙交，粗糙度控制在纳米级别，低缺陷密度等）、相关于掩膜质料具有较高的选择性侵蚀（确保只对碳化硅举行有用的刻蚀而不损害掩膜质料，包管图形转移的准确性）、高的刻蚀区分率（在亚微米甚至纳米标准上形成准确的图形结构）以及侵蚀的各向异性（使刻蚀能够笔直向下或者凭证预定的某个偏向举行，阻止侧向太过刻蚀影响结构精度）等。例如在制造沟槽型碳化硅器件时，需要准确控制刻蚀深度、侧壁笔直度和粗糙度等，若是刻蚀深度不匀称、侧壁倾斜度过大或者外貌太粗糙，会影响后续电极制作和器件电学性能，如沟道迁徙率下降、击穿电场减小等 。

3. 刻蚀副产品残留问题

在刻蚀历程中会爆发如氟碳等刻蚀残留物，这些残留物很难去除。一方面，它们可能附着在刻蚀后的外貌，影响下一步工艺环节（如影响金属化工艺中的金属 - 半导体接触质量）。另一方面，残留物还可能改变刻蚀外貌的电学和化学性子，导致器件的电学性能下降，像降低沟道迁徙率和击穿电场等。关于沟槽型碳化硅半导体器件，这些残留物会对沟槽栅金属氧化物半导体电容（MOS电容）的电学特征爆发不良影响，在MOS器件结构中损害沟道的有用传导能力和耐压能力。

碳化硅功率器件刻蚀工艺的优化要领

1. 工艺条件优化

调解刻蚀气体因素

选择合适的刻蚀气体组合对提高刻蚀效果有主要作用。例如在一些碳化硅的刻蚀中使用SF6 + O2或者CF4 + O2的混淆气体作为刻蚀气体，能够通过调解O2和另一气体因素的比例来控制刻蚀速率、选择性等参数。当增添O2的含量时，可能会提高对碳化硅的刻蚀速率但需要关注对掩膜质料的选择性，阻止同时太过刻蚀掩膜质料；而镌汰O2可能会增添产品中可能造成污染的因素，需要取得一个平衡点。别的，像XeF2气体连系离子轰击（如Ar +轰击）的方法在某些碳化硅刻蚀场景下可以有用提高刻蚀的各向异性并且增强刻蚀效果，但需要细腻地控制离子轰击的能量和电流密度等参数，以阻止对碳化硅外貌造成太过损伤。

控制刻蚀工艺参数

射频功率、气体流量和反应室压力等工艺参数影响刻蚀反应。提高射频功率可以增添等离子体的爆发量，从而加速刻蚀速率，但也可能增添刻蚀的不匀称性；增添气体流量有助于增补刻蚀反应中的反应气体，包管刻蚀一连举行，但流量过大可能造成气流杂乱影响刻蚀区分率；反应室压力过高或过低都倒运于优化刻蚀历程，需要凭证详细的装备和刻蚀要求举行调理来抵达优异的刻蚀速率、外貌质量及选择性。在现实的生产历程中可能需要通过多次实验测试来找到针对差别结构尺寸、差别批次碳化硅质料的最优工艺参数组合。

优化退火工序

关于刻蚀后的碳化硅，接纳合适的退火工艺可改善刻蚀造成的损伤。如使用H2、Ar、SiH4/Ar、Cl2（高温1000°C以上）等气体举行退火，可消除栅槽底部微沟槽和外貌粗糙度等问题。接纳含氯的气体（如四氯化碳和/或氯气）和氧化性气体（如氧气、一氧化氮、二氧化氮、一氧化碳和二氧化碳中的至少一种）配合，再连系载体气体（如氦气、氖气、氩气、氪气和氙气中的一种），在700 - 1000°C的较低退火温度下，可实现降低碳化硅栅槽的损伤、提高平滑度的效果，既节约能源又能改善电学特征，如提高碳化硅器件反型层导电沟道迁徙率、改善碳化硅正向导电性能 。

2. 掩膜手艺刷新

制备高质量掩膜层

掩膜质料、掩膜蚀刻的选择对碳化硅刻蚀至关主要。需要开发与碳化硅刻蚀工艺相匹配的掩膜质料，确保掩膜在刻蚀历程中有足够的抗刻蚀能力，并且在刻蚀竣事后容易去除而差池碳化硅结结构成损伤。例如接纳双层胶剥离工艺制备刻蚀所需的极小倾角金属掩膜，能够通过控制双层胶工艺形成的光刻胶倒台面形貌来控制剥离之后的金属掩膜形貌，可以获得边沿倾斜角度平均仅为1.6°的金属掩膜，使用这种掩膜能实现深度14.5μm而角度仅为27°的SiC刻蚀形貌 。

准确控制掩膜蚀刻历程

对掩膜蚀刻历程的准确控制包括蚀刻的深度、侧壁形状的控制等。要确保掩膜蚀刻能够准确地转移所需的图形到碳化硅外貌，包管图形的精度和完整性，从而知足碳化硅功率器件重大结构制造的要求。准确的掩膜蚀刻能包管在后续碳化硅刻蚀时，刻蚀图形与掩膜上预设图形的高度一致性，阻止由于掩膜蚀刻误差导致碳化硅器件性能下降或者无法抵达设计要求。

碳化硅功率器件刻蚀工艺的最新研究希望

1. 更深入与准确的刻蚀研究

当下，开发针对碳化硅质料的深刻蚀工艺成为研究热门之一，如沟槽栅手艺中的应用。沟槽栅（Trench - Gate）手艺可以缩小碳化硅芯片的外貌积，提高单个晶圆的芯片产出量以降低本钱，并且能阻止寄生Jfet效应带来的特殊内阻。海内有企业如「中锃半导体」建设专门的研发团队，专注于研发针对碳化硅的深刻蚀装备和工艺（DeepSiCEtch），以实现更好的沟槽栅结构，从而实现更辽阔的器件设计窗口，助推碳化硅产品在本钱和性能上更具竞争力，但要实现碳化硅的深刻蚀需要战胜其高达莫氏硬度9.5的难题，以及知足种种性能要求的特殊刻蚀形貌需求，这仍是研究和开发历程中的一个重大挑战。

2. 多样化的工艺探索与应用

在金属场版刻蚀工艺方面，研究职员通过连系等离子体刻蚀和反应离子刻蚀等干法刻蚀手艺开展试验研究与剖析。通过多次调理反应条件，包括刻蚀气体、射频功率、气体流量、反应室压力等，并接纳湿法刻蚀举行金属场版刻蚀，详尽调解侵蚀液的因素和配比，乐成提升了碳化硅肖特基二极管器件的制品率和可靠性，为碳化硅肖特基二极管制造工艺中的刻蚀手艺生长提供了借鉴思绪。

3. 碳化硅集成光量子纠缠器件刻蚀相关突破

在碳化硅集成光量子纠缠器件领域的工艺有新的希望。如哈尔滨工业大学（深圳）的研究团队在绝缘体上的碳化硅质料上制备出单个电子自旋阵列，这一历程必定涉及一些奇异的碳化硅刻蚀、加工手艺。他们通详尽腻操控展示了这些自旋的相关特征，为碳化硅片上集成的光量子信息处置惩罚提供主要基础。在研究历程中连系了多种工艺办法，如将特殊的碳化硅外延层晶圆与氧化硅晶圆连系，通过磨削和抛光手艺将碳化硅层减薄到200纳米历程中，需要精准的刻蚀控制以知足结构和量子特征的要求，这在碳化硅质料用于光量子信息和特殊微纳器件制造方面体现了新的起点和研究偏向。

功率器件芯片洗濯剂选择：

水基洗濯的工艺和装备设置选择对洗濯细密器件尤其主要，一旦选定，就会作为一个恒久的使用和运行方法。水基洗濯剂必需知足洗濯、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到情形中的湿气，通电后爆发电化学迁徙，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破损了电路板功效。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，尚有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、灰尘等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、爆发气孔、短路等等多种不良征象。

这么多污染物，究竟哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种因素，焊后必定保存热改性天生物，这些物质在所有污染物中的占有主导，从产品失效情形来而言，焊后剩余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁徙使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必需举行严酷的洗濯，才华包管电路板的质量。

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