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晶圆洗濯工艺之SC洗濯
晶圆洗濯工艺的目的是在不改变或损坏晶圆外貌或衬底的情形下去除化学和颗粒杂质（下图）。晶圆洗濯是为了预扩散洗濯，纵然其外貌不受金属、颗粒和有机物的污染。金属离子洗濯，即去除对半导体器件运行有倒运影响的金属离子；颗粒洗濯指的是使用化学或机械擦洗去除外貌的颗粒，使用兆速洗濯和蚀刻后洗濯去除蚀刻历程后留下的光阻和聚合物。
接下来小编针对硅晶圆洗濯的差别程序，对SC洗濯给各人做个简朴先容，希望能对您有所资助！
晶圆 SC洗濯
SC洗濯包括两个办法，即SC-1和SC-2。SC-1取氢氧化铵（28%）、过氧化氢（30%）和水，比例为1:1:5，温度为80～90℃。硅晶圆在此溶液中浸泡10分钟，并坚持高pH值。该要领氧化有机物（形成二氧化碳、水等），并与金属（好比Au、Ag、Cu、Ni、Zn、Cr等）形成络合物，如Cu(NH3)42+。在此历程中，自然的氧化层缓慢消融并重新长出新的氧化层，从而去除氧化层上的颗粒。NH4OH的用量较少，由于它能蚀刻Si，使其外貌粗糙。
SC-2取盐酸（73%）、过氧化氢（73%）和水，比例为1:1:6，温度为80～90℃。硅晶圆在此溶液中浸泡10分钟，并坚持低pH值。该要领用于去除碱离子和Al3+、Fe3+、Mg2+等在SC-1等碱性溶液中形成的不溶性氢氧化物的阳离子。这些金属会在SC-1溶液中沉淀到晶圆外貌，而在SC2溶液中则形成可溶性配合物。SC-2还能完全去除SC-1办法无法完全去除的金属污染物，如Au。
以上是关于晶圆洗濯工艺之SC洗濯的相关内容先容了，希望能对您有所资助！
想要相识关于晶圆洗濯的相关内容，请会见我们的“晶圆洗濯”专题相知趣关产品与应用 ！
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