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英特尔展示前沿晶体管微缩手艺突破:3D堆叠、背面供电、背面触点

2023年12月9日,英特尔在IEDM 2023(2023 IEEE 国际电子器件聚会)上展示了多项手艺突破,为其未来的制程蹊径图提供了富厚的立异手艺储备,充辩白明晰摩尔定律仍在一直演进。

详细而言,英特尔研究职员在大会上展示了连系背面供电和直接背面触点(direct backside contacts)的3D堆叠CMOS晶体管,分享了近期背面供电研发突破的扩展路径(如背面触点),并率先在统一块300毫米晶圆上,而非封装中,乐成实现了硅晶体管与氮化镓(GaN)晶体管的大规模单片3D集成。
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晶体管微缩和背面供电是知足天下对更强盛算力指数级增添需求的要害。一直以来,英特尔始终致力于知足算力需求,批注其手艺立异将继续推动半导体行业生长,也仍然是摩尔定律的“基石”。英特尔组件研究团队一直拓展工程手艺的界线,包括晶体管堆叠,背面供电手艺的提升(有助于晶体管的进一步微缩和性能提升),以及将差别质料制成的晶体管集成在统一晶圆上。
英特尔近期在制程手艺蹊径图上的诸多希望,包括PowerVia背面供电手艺、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct,彰显了英特尔正在通过手艺立异一直微缩晶体管。这些立异手艺均源自英特尔组件研究团队,预计将在2030年前投产。
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在IEDM 2023上,英特尔组件研究团队同样展示了其在手艺立异上的一连投入,以在实现性能提升的同时,在硅上集成更多晶体管。研究职员确定了所需的要害研发领域,旨在通过高效堆叠晶体管继续实现微缩。连系背面供电和背面触点,这些手艺将意味着晶体管架构手艺的重大前进。随着背面供电手艺的完善和新型2D通道质料的接纳,英特尔正致力于继续推进摩尔定律,在2030年前实现在单个封装内集成一万亿个晶体管。

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