功率半导体大致可分为功率半导体分立器件(包括功率？)和功率半导体集成电路两大类
。凭证器件结构，现有的功率半导体分立器件可分二极管、功率晶体管、晶闸管等，其中功率晶体管分为双极性结型晶体管（BJT，俗称三极管）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等
。

2、IGBT的看法

IGBT是由BJT和MOSFET组成的功率半导体器件，它的控制极为绝缘栅场效应晶体管，输出极为双极型功率晶体管，因而兼有两者速率和驱动能力的优点，战胜了两者的弱点
。IGBT可以在种种电路中提高功率转换、传送和控制的效率，实现节约能源、提高工业控制水平的目的，，被业界誉为电力电子装置的“CPU”，普遍应用于工业控制、轨道交通、白色家电、新能源发电、新能源汽车等领域
。

IGBT的事情原理着实是通过一直激活和停用其栅极端子来开启、关闭实现的
。若是正输入的电压通过栅极，发射器就会坚持驱动电路开启
。另一方面，若是IGBT的栅极端的电压为零或者为负时，则就会关闭电路应用
。

二、功率半导体器件洗濯：

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