晶圆洗濯工艺之Ohmi洗濯、兆声和超声洗濯

晶圆洗濯工艺的目的是在不改变或损坏晶圆外貌或衬底的情形下去除化学和颗粒杂质（下图）。晶圆洗濯是为了预扩散洗濯，纵然其外貌不受金属、颗粒和有机物的污染。金属离子洗濯，即去除对半导体器件运行有倒运影响的金属离子

；颗粒洗濯指的是使用化学或机械擦洗去除外貌的颗粒，使用兆速洗濯和蚀刻后洗濯去除蚀刻历程后留下的光阻和聚合物。

接下来小编针对硅晶圆洗濯的差别程序，对Ohmi洗濯、兆声和超声洗濯给各人做个简朴的先容，希望能对您有所资助！

晶圆 Ohmi洗濯

Ohmi洗濯办法少，温度低。图3形貌了Ohmi洗濯历程的详细办法。

晶圆兆声和超声洗濯

在超声波洗濯历程中，通过高频振动（20～45 kHz）对洗濯液举行机械震荡，导致空化并形成低压蒸汽泡擦洗外貌。频率越高（>45kHz），晶圆外貌气泡越小，效率越低。然而兆声波 (1MHz)洗濯在去除粒子方面也很有用。这两种工艺关于去除硅晶圆外貌污染物是很是有用的。

最后我们说下晶圆洗濯的清洁室

清洁室是所有这些清洁历程爆发的地方，并在这里接纳步伐镌汰颗粒污染。清洁室内的温度、湿度、压力等参数均由高效微？掌℉EPA）过滤器和超卑微？掌║LPA）过滤器等要害部件控制。清洁室按两个标准分类（图4~5），即ISO等效和FED STD 209E等效。这种分类是凭证每体积空气中允许的颗粒数来举行的。

以上是关于晶圆洗濯工艺之Ohmi洗濯、兆声和超声洗濯的相关内容先容了，希望能对您有所资助！

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