半导体洗濯：半导体制造中金属污染的丈量手艺汇总

半导体制造中金属污染的丈量手艺分为两类：

1、在线丈量手艺：在晶圆上直接丈量
，无需任何样品制备；

2、离线丈量手艺：丈量前需样品制备
，前处置惩罚涉及在实验室情形中举行。

EDX : Energy Dispersive X-ray Spectroscopy（能量色散X射线光谱）

SPV :  Surface Photo Voltage（外貌光电压）

TRXF : Total Reflection X-ray Fluorescence （全反射X射线荧光光谱）

IC : Ion Chromatography （离子色谱）

AAS: Atomic Absorption Spectroscopy （原子吸收光谱）

ICP-MS : Inductively Coupled Plasma Mass Spectroscopy （电感耦合等离子体质谱）

VPD-TXRF : Vapour Phase Decomposition TXRF （气相剖析-全反射X射线荧光光谱）

VPD-ICP-MS : Vapour Phase Decomposition ICP-MS （气相剖析-电感耦合等离子体质谱）

SIMS : Secondary Ion Mass Spectroscopy（二次离子质谱）

XPS : X-ray Photoelectron Spectroscopy（X射线光电子能谱）

Auger : Auger electron spectroscopy（俄歇电子能谱）

除在线和离线监测划分之外
，凭证丈量原理
，可将丈量金属污染的手艺分为以下两个分支：一是直接丈量晶圆外貌的金属污染物化学浓度的手艺
，二是间接丈量体硅中金属污染引起的电活动的寿命检测手艺。当预计金属污染物会沉积在晶圆外貌时
，首选前一种要领
，此后一种方规则适用于涉及到体硅中的金属污染扩散的热处置惩罚工艺。

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