第三代半导体的简述

现在主流的芯片是硅基芯片，在一样平常生涯中应用的最为普遍。

由于它生长的时间长、工业链成熟度高，本钱较低，以是能够大规模应用，在我们的手机里、电脑里......

然而，经由几十年的生长，硅基芯片遇上了摩尔定律的“瓶颈”，生长的空间变得狭窄了。

另外，受制于硅基质料的物理性能，硅基芯片在光伏、新能源汽车等新兴工业领域的生长受阻。

正好恰逢其时，新能源工业的郁勃崛起，第三代半导体崭露头角，大放色泽。

第三代半导体，是继以硅基芯片为代表的第一代半导体和以砷化镓为代表的第二代半导体之后，迅速生长起来的一种化合物半导体。

它的禁带宽度（eV）宽、电子饱和漂移速率快、热导率高，以是第三代半导体耐压性高、高频性能好、散热快，在通讯射频和新能源领域具有显着的优势，硅基芯片完全不是敌手。

以是，第三代半导体的兴起，与近些年来新能源工业的快速生长密不可分，作为新能源工业所需的功率芯片有无可相比的优势。

虽然它起步于上世纪90年月，比硅基芯片的生长时间要短，可是其生长快，远景大。

生长至今，现在生长较量成熟的第三代半导体品类有两种，划分是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。

氮化镓主要应用在手机充电器、卫星通讯等民用领域和雷达等军事领域。

而碳化硅主要应用于电动汽车、电力装备、新能源等民用领域和喷气式发念头等军用领域。

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